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$$alpha$$ decay of $$^{217}$$Th populating the excited status in $$^{213}$$Ra

$$^{213}$$Raの励起準位に遷移する$$^{217}$$Thの$$alpha$$-崩壊

西尾 勝久; 池添 博; 光岡 真一; Lu, J.*

Nishio, Katsuhisa; Ikezoe, Hiroshi; Mitsuoka, Shinichi; Lu, J.*

$$^{213}$$Raの2つの励起準位に遷移する$$^{217}$$Thの新しい$$alpha$$崩壊を測定した。$$^{217}$$Thは$$^{28}$$Si+$$^{198}$$Ptの融合反応による25nチャンネルで生成された。$$^{28}$$Siはタンデム加速器で加速され、$$^{217}$$Thは反跳生成核分離装置で分離された。$$^{213}$$Raの2つの低励起準位への遷移割合は2.6$$_{-1.1}^{+1.6}$$%及び5.1$$_{+1.6}^{+2.0}$$%で、第2励起への割合が高かった。$$^{213}$$Raの第2励起準位は834keVと、本研究で初めて決定された。これにより中性子数が125で陽子数が偶数のアイソトーンの第2励起準位(J$$^{pi}$$=$$frac{3}{2}^{-}$$)は、Z=88まで拡張された。これらアイソトーンの2つの励起準位に遷移する親核の$$alpha$$崩壊の遷移割合の系統性は、殻モデルによる$$alpha$$崩壊理論でほぼ良く説明された。このことはこれらアイソトーンの2つの励起準位では、いずれも2f$$frac{5}{2}$$と2f$$frac{5}{2}$$軌道を占有する中性子ホールに基づくものであると考えられた。

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パーセンタイル:67.89

分野:Physics, Nuclear

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