1MeV-electron irradiation induced defects in epitaxially grown 3C-SiC

エピタキシャル成長3C-SiCにおける1MeV電子線照射誘起欠陥

伊藤 久義; 早川 直宏; 梨山 勇*; 作間 栄一郎*

Ito, Hisayoshi; Hayakawa, Naohiro; Nashiyama, Isamu*; not registered

化学気相成長(Chemical Vapor Deposition)法によりSi上にエピタキシャル成長させて作製した立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)結晶に対し、その1MeV電子線照射効果を電子スピン共鳴法を用いて調べた。その結果、電子線照射により3C-SiC中に4種類の常磁性欠陥(T1~T4センター)が誘起されることが判明した。T1センターは等間隔で分離した(分離幅約1.5G)等方的な5本線で構成され、そのg値は2.00290.0001であることが見いだされた。また、T2センターは100以下の低温で出現し異方性を持つこと、並びにT3及びT4センターは室温において検出され異方性を示すことが解った。さらに、電子線照射3C-SiCの等時アニールの結果、T1センターのアニール過程において3種類のステージ(150C、350C、750C)が存在することが明らかになった。一方、T3、T4センターについては各々100C、350Cにアニールステージを持つことが見いだされた。

no abstracts in English