15keVから500keVまでの鉛遮蔽材におけるビーム状斜入射光子再生効果

Build-up effect on obliquely incident pencil beam photon from 15 to 500keV into lead shield

ペンシルビーム状で、かつ斜入射の場合、および等方放射の場合の再生効果を鉛遮蔽について、モンテカルロ電磁力カスケードコードEGS4で計算し、グラフおよび表にまとめた。また、垂直一様入射の場合の再生係数を表わすのに使用されるGP法と比較し、入射角度が小さい場合は5mfPの範囲内で、それ以外では、10mfPの範囲内で良い一致をみた。検出器のサイズが再生効果に及ぼす影響についても検討した。これらの結果、放射光遮蔽計算で有効である点減衰核法にGP法で得られる再生係数を用いても良いことを確認した。

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使用言語	:	Japanese
報告書番号	:	JAERI-Research 96-001
ページ数	:	164 Pages
発行年月	:	1996/01
特許データ	:
PDF	:	JAERI-Research-96-001.pdf:5.03MB
論文URL	:	https://doi.org/10.11484/jaeri-research-96-001
研究データの公開先DOI	:	本成果にかかわる研究データのリンクです。
キーワード	:	Buildup; Photon; Low Energy; Shield; Lead; Obliquely Incident Pencil Beam
使用施設	:
広報プレスリリース	:
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受委託・共同研究相手機関	:
他機関報告書番号	:

Access	:	- Accesses

登録番号 : S19960001
抄録集掲載番号 : 240154

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