「2002年シリサイド系半導体・夏の学校」研究会; 2002年8月5日~8月6日,日本原子力研究所東海研究所

Summer Seminar on "Silicide Semiconductors" 2002; August 5-6, 2002, Japan Atomic Energy Research Institute, Tokai Research Establishment

山口 憲司; 山本 博之; 北條 喜一; 鵜殿 治彦*

Yamaguchi, Kenji; Yamamoto, Hiroyuki; Hojo, Kiichi; Udono, Haruhiko*

シリサイド系化合物は、環境に負荷を与えない新しい半導体材料として内外で注目を集めている。本研究会は、平成14年8月5,6日の両日、原研東海研究所の先端基礎研究交流棟大会議室において開催された。1件の招待講演を皮切りに、10件の口頭発表と20件のポスターによる発表が行われ、2日間延べ約140名に及ぶ出席者により活発な討論を行いつつ盛況のうちに全日程を終了した。本編はその報告書である。

Some silicides are known to be promising as new types of semiconductor, being less hazardous to the environment than conventional compound semiconductors. This seminar was held at Advanced Science Research Center in JAERI (Japan Atomic Energy Research Institute) - Tokai on August 5th and 6th, 2002, where 1 invited lecture, 10 oral and 20 poster presentations were given. It was successfully carried out with the participants reaching as many as 70 people, with plenty of fruitful discussion. This summary is the proceedings of the seminar.