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Theoretical EUV spectrum of near Pd-like Xe

Pd様近傍のXeのEUVスペクトルの理論計算

佐々木 明

Sasaki, Akira

次世代半導体リソグラフィのためのEUV光源として注目される、Xeプラズマの発光スペクトルの理論解析を行った。HULLAコードによってXeイオンのエネルギー単位,衝突,輻射過程のレート係数の計算を行い、Whiamコードシステムによってレベルポピュレーションとスペクトル計算を行った。その結果、Xe$$^{7+}$$~Xe$$^{18+}$$の4d-4f遷移がほぼすべて11nm帯で発光して強いピークとして観測されるのに対し、4d-5p遷移の波長は価数が高くなるに従って短波長側にシフトすることがわかった。放電励起による低密度プラズマでは、Xe$$^{10+}$$の4d-5p遷移がEUV光源として要求されている13.5nm帯で発光することがわかった。

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