Study of radiation response on single-junction component sub-cells in triple-junction solar cells

多接合型太陽電池の単セル構造の放射線照射効果の研究

今泉 充*; 高本 達也*; 住田 泰史*; 大島 武; 山口 真史*; 松田 純夫*; 大井 暁彦; 神谷 富裕

Imaizumi, Mitsuru*; Takamoto, Tatsuya*; Sumita, Taishi*; Oshima, Takeshi; Yamaguchi, Masafumi*; Matsuda, Sumio*; Oi, Akihiko; Kamiya, Tomihiro

多接合型太陽電池の放射線劣化の振る舞いを総合的に明らかにし、劣化のモデル化を行うため、多接合型太陽電池を構成している各単セル構造について、放射線照射による劣化の振る舞いを調べた。トップセルに使用されるInGaPセルは陽子線照射中に光照射のあるなしにかかわらず同様な劣化の振る舞いを示した。ミドルセルであるInGaAsセルは、In含有量が増加するに従い耐放射線性が劣化すること、ボトムセルに使用されるGeセルの耐放射線性はトップ,ミドルセルに比べ低いことが明らかになった。

The radiation response of InGaP, InGaAs and Ge single junction sub-cells in the triple junction space solar cell are studied in order to develop a device simulator which predicts the End-Of-Life performance of space solar cells. InGaP top-cells show no significant difference in radiation response between under AM0 light and dark conditions during irradiation. The radiation resistance of InGaAs cell which is used as middle cell decreases with increasing In contents. The Ge cell shows lower radiation reisitance as compared to InGaP and InGaAs cells.