山口 憲司; 原口 雅晴*; 勝俣 敏伸*; 志村 憲一郎; 山本 博之; 北條 喜一
Yamaguchi, Kenji; Haraguchi, Masaharu*; Katsumata, Toshinobu*; Shimura, Kenichiro; Yamamoto, Hiroyuki; Hojo, Kiichi
イオンビームスパッタ蒸着法により、773-973Kの温度範囲で、Si(100)基板上にFe蒸着膜厚8-30nmの
-FeSi
薄膜を作製した。X線回折による分析の結果、本研究の条件下では-FeSi相が支配的であることがわかった。薄膜の電気特性については、蒸着の前後で電気特性がほとんど変わらなかったことから、圧倒的に基板の電気伝導度が大きいと考えられた。最良の結晶特性を有する薄膜は、基板温度; 873K, Fe蒸着膜厚; 15nm、もしくは、温度; 973K, 膜厚; 30nmという条件下で得られた。これを換言すれば、前述の条件よりも高温もしくは低膜厚条件下では、金属相である
-FeSi相が混在するようになる一方で、低温,高膜厚条件下では-FeSi相は多結晶質になった。これらの事実は、Si原子とFe原子による相互拡散、ならびに、その拡散を抑制するシリサイド層が、結晶成長に重要な影響を及ぼすことを示唆している。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
|---|---|---|
掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 461 |
号 |
: | 1 |
ページ数 |
: | p.13 - 16 |
発行年月 |
: | 2004/08 |
発表会議名 |
: | 8th IUMRS International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2003) |
開催年月 |
: | 2003/10 |
開催都市 |
: | Yokohama |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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パーセンタイル：46.84 分野：Materials Science, Multidisciplinary |
Altmetrics |
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