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Re-emission of hydrogen implanted into graphite by helium ion bombardment

グラファイト中に注入された水素のヘリウムイオン衝撃による再放出

土屋 文*; 森田 健治*; 山本 春也; 永田 晋二*; 大津 直史*; 四竈 樹男*; 楢本 洋

Tsuchiya, Bun*; Morita, Kenji*; Yamamoto, Shunya; Nagata, Shinji*; Otsu, Naofumi*; Shikama, Tatsuo*; Naramoto, Hiroshi

あらかじめ水素をイオン注入したグラファイト試料に60~200keVのエネルギーでヘリウムイオン照射を行ない、水素の再放出過程を16MeV $$^{16}$$O$$^{5+}$$を分析ビームに用いた反跳粒子検出法を用いて調べた。グラファイト中の水素濃度は、ヘリウム照射により急速に減少し、さらにヘリウム照射量が増加すると水素/炭素の比が約0.2の一定値に達した。グラファイトからの水素再放出は、ヘリウムの照射エネルギーが低くなるとともに増加した。この実験結果を質量平衡方程式により解析した結果、このヘリウムの照射エネルギー範囲では、ヘリウムよってはじき出された炭素原子と水素との弾性衝突が水素の再放出の主な原因であることがわかった。

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分野:Materials Science, Multidisciplinary

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