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Bandgaps of Ga$$_{1-x}$$In$$_x$$N by all-electron GWA calculation

全電子GWA計算によるGa$$_{1-x}$$In$$_x$$Nのバンドギャップ

薄田 学; 浜田 典昭*; 白石 賢二*; 押山 淳*

Usuda, Manabu; Hamada, Noriaki*; Shiraishi, Kenji*; Oshiyama, Atsushi*

ウルツァイト型Ga$$_{1-x}$$In$$_x$$Nに対する準粒子バンド構造を、$$GW$$近似に基づく全電子FLAPW計算法を用いて計算した。InNに対するバンドギャップの計算値は1eV以下であり、最近報告された実験値を支持する結果となった。

The electronic band-structures of wurtzite-type Ga$$_{1-x}$$In$$_x$$N are calculated by using an all-electron FLAPW method in the $$GW$$ approximation(GWA). Our calculations show that the bandgap of InN is smaller than 1 eV, and strongly support the recently observed smaller bandgaps.

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