Radiation damages of InGaAs photodiodes by high-temperature electron irradiation

高温下での電子線照射によるInGaAsフォトダイオードの放射線損傷

大山 英典*; 高倉 健一郎*; 中林 正和*; 平尾 敏雄; 小野田 忍; 神谷 富裕; Simoen, E.*; Claeys, C.*; 久保山 智司*; 岡 克己*; 松田 純夫*

Oyama, Hidenori*; Takakura, Kenichiro*; Nakabayashi, Masakazu*; Hirao, Toshio; Onoda, Shinobu; Kamiya, Tomihiro; Simoen, E.*; Claeys, C.*; Kuboyama, Satoshi*; Oka, Katsumi*; Matsuda, Sumio*

人工衛星は高温で長期間、放射線にさらされるため、その中で用いられる半導体素子について、放射線照射と照射中の温度との関係を評価することが重要である。本研究では、近年非常に注目されているオプとエレクトロニクスデバイスについて照射による電気特性の変化と温度との関係を評価した。評価に用いた試料は、InP基板の上に成長させたInGaAsのエピタキシャル層で作られたフォトダイオードで0.95から1.65mmの波長範囲を有したものである。照射は、2MeVの電子線を用い照射線量は、110 e/cmとし照射中の温度を50, 100, 200及び300度に保持し、無印加状態で行った。その結果、電子線を照射して生じる欠陥レベルが照射中の温度の上昇に伴い減少した。また、300度の照射では、光電流の低下が初期値の30%であった。これにより、放射線照射による電気特性の変化が高温照射によって回復することがわかった。本会議では、これらの実験結果について紹介し議論する。

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