Irradiation induced degradation of high-speed response of Si $p^{+}$ -- $n^{+}$ photodiodes studied by pulsed laser measurements

Si $p^{+}$ -- $n^{+}$ フォトダイオードにおける過渡応答の照射劣化

Laird, J. S.; Hirao, Toshio; Onoda, Shinobu; Ito, Hisayoshi

高速pin型フォトダイオードは、将来の大容量光通信に不可欠な素子として注目されており、その宇宙適用性を判断するために放射線劣化とシングルイベントの関係を評価する必要性がある。われわれは、1.5GHzの帯域を有するシリコンpinダイオードに電子線を照射し、その劣化挙動を重イオンによるシングルイベント過渡電流から調べた。この結果、25Mradまでの電子線照射では電流波形の変化は見られないが、それ以上では急激な波高値の増加が見られ、照射量と収集される電荷量との相関を得ることができた。さらのその変化量が未照射時と比較して約60%であることも得られた。本会議では、得られた結果の詳細と劣化メカニズムについて言及する。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	IEEE Transactions on Nuclear Science
巻	:	50
号	:	6, Part1
ページ数	:	p.2003 - 2010
発行年月	:	2003/12
発表会議名	:	40th Annual International Nuclear & Space Radiation Effects Conference
開催年月	:	2003/07
開催都市	:	Monterey
開催国	:	U. S. A.
キーワード	:	電子線照射; ピーク電流; 放射線損傷; TIBIC; シングルイベント過渡電流

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.1109/TNS.2003.820734
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:	パーセンタイル：56.43 分野：Engineering, Electrical & Electronic
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登録番号 : B20030425
抄録集掲載番号 : 48000011
論文投稿番号 : 22374

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Irradiation induced degradation of high-speed response of Si -- photodiodes studied by pulsed laser measurements

Si --フォトダイオードにおける過渡応答の照射劣化

Irradiation induced degradation of high-speed response of Si $p^{+}$ -- $n^{+}$ photodiodes studied by pulsed laser measurements

Si $p^{+}$ -- $n^{+}$ フォトダイオードにおける過渡応答の照射劣化