五十嵐 慎一*; 勝俣 敏伸*; 原口 雅晴*; 齊藤 健*; 山口 憲司; 山本 博之; 北條 喜一
Igarashi, Shinichi*; Katsumata, Toshinobu*; Haraguchi, Masaharu*; Saito, Takeru*; Yamaguchi, Kenji; Yamamoto, Hiroyuki; Hojo, Kiichi
イオンビームスパッタ蒸着法を用いて「環境に優しい」半導体であり、受発光素子などへの応用も期待される
-FeSi
薄膜作製を行った。従来までの著者らの検討により、イオン照射によるSi基板処理と照射後の加熱によって良好な-FeSi薄膜の得られることが明らかとなっている。本研究においては基板処理条件の最適化を目的とし、照射イオン(Ne
)のエネルギーを1
10keVまで変化させることにより、それぞれの条件において得られた基板を用いて成膜を行った際の薄膜の結晶性及びその配向性について透過型電子顕微鏡,X線回折により検討を行った。この結果から、3keVで照射を行った場合がそれ以上のエネルギーに比べて良好な膜質となることを明らかにした。これは3keV程度の照射によって生成する基板表面の欠陥生成量とその深さが成膜のためのFe-Siの相互拡散に最も適していたためと考えることができる。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
|---|---|---|
掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 74 |
号 |
: | 3-4 |
ページ数 |
: | p.619 - 624 |
発行年月 |
: | 2004/06 |
発表会議名 |
: | 7th International Symposium on Sputtering and Plasma Process (ISSP 2003) |
開催年月 |
: | 2003/06 |
開催都市 |
: | Kanazawa |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：27.83 分野：Materials Science, Multidisciplinary |
Altmetrics |
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