磯谷 順一*; 大島 武; 森下 憲雄; 神谷 富裕; 伊藤 久義; 山崎 聡*
Isoya, Junichi*; Oshima, Takeshi; Morishita, Norio; Kamiya, Tomihiro; Ito, Hisayoshi; Yamasaki, Satoshi*
スピン緩和を用いた量子コンピュータの実現には、長いスピン緩和時間を持った系が必要とされる。このような系の実現には、通常低温が必要とされるが、より室温に近い温度でのスピン緩和を利用した量子コンピュータ開発の知見を得るために、炭化ケイ素半導体(SiC)中の浅いドナー不純物のスピン緩和を調べた。ドナー不純物としては窒素及びリンを用い、窒素については結晶成長により、リンについてはイオン注入(9から21MeV)により導入した。また、リン注入後に1650
Cで熱処理を行うことで照射損傷の除去とリンドナーの電気的活性化を図った。スピン緩和はパルスEPR法の一つである2パルスエコー減衰法を用いて測定した。スピン-格子緩和時間の温度依存性を解析した結果、窒素については83meV、リンについては62meVという緩和エネルギーを得た。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
: | 340-342 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.903 - 907 |
発行年月 |
: | 2003/12 |
発表会議名 |
: | 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) |
開催年月 |
: | 2003/07 |
開催都市 |
: | Aarhus |
開催国 |
: | Denmark |
キーワード |
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論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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受委託・共同研究相手機関 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：51.49 分野：Physics, Condensed Matter |
Altmetrics |
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