IBSD法による次世代半導体材料(-FeSi膜)の開発

Development of semiconductor material (-FeSi film) for next generation using IBSD method

Heya, Akira*; Haraguchi, Masaharu*; Yamamoto, Hiroyuki; Saito, Takeru*; Yamaguchi, Kenji; Hojo, Kiichi

環境半導体である鉄シリサイド(-FeSi)をイオンビームスパッタ蒸着(IBSD)法により生成した。ターゲットにFeSiを用い、FeSi蒸着膜厚を変化させたときのFeSi膜の結晶構造及びSi, Fe濃度分布の変化から、成長機構を検討した。その結果、FeSi蒸着量によりFeSi膜の結晶構造が異なり、それはFeに対するSiの供給量に依存すること、また、FeSiターゲットを用いることにより、膜厚100nm程度の(100)優先配向性の-FeSi膜が生成できることを示した。

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使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:	石川県工業試験場平成14年度研究報告
巻	:
号	:	52
ページ数	:	p.9 - 12
発行年月	:	2003/00
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キーワード	:	鉄シリサイド; 環境半導体; イオンビームスパッタ蒸着法; 結晶構造; ターゲット組成

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登録番号 : A20030396
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