-FeSi
thin film formation processesYamamoto, Hiroyuki; Yamaguchi, Kenji; Hojo, Kiichi
ベータ鉄シリサイド薄膜作製においては、Fe, Si原子の相互拡散及び反応が最も基礎的なプロセスとなる。このため、配向性の高い薄膜や、良好な物性を得るためにはナノ領域における構造,組成の観測と同時にその制御が不可欠である。本発表においては、種々の方法,作製条件により得られた鉄シリサイド薄膜に関して透過型電子顕微鏡,放射光を用いたX線光電子分光法を応用し、その形成過程を明らかにした成果を報告する。併せて、Si基板表面にイオンを照射し意図的に欠陥を生成させることによってより低温で膜生成を促進させた結果、Fe原子がSi基板中に拡散し、シリサイド化する様子を温度変化させながらその場観察した結果など、従来まで演者らの研究により得られた成果についても総括的に発表する。なお、本発表はIUMRS国際会議におけるシリサイド系半導体のセッションでの招待講演である。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 461 |
号 |
: | 1 |
ページ数 |
: | p.99 - 105 |
発行年月 |
: | 2004/08 |
発表会議名 |
: | 8th IUMRS International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2003) |
開催年月 |
: | 2003/10 |
開催都市 |
: | Yokohama |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：46.84 分野：Materials Science, Multidisciplinary |
Altmetrics |
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