Synthesis of silicon carbide nanotubes

炭化ケイ素ナノチューブの合成

田口 富嗣; 井川 直樹   ; 山本 博之; 實川 資朗

Taguchi, Tomitsugu; Igawa, Naoki; Yamamoto, Hiroyuki; Jitsukawa, Shiro

カーボンナノチューブをシリコン粉末とともに1200Cで、100時間熱処理することにより、炭化ケイ素単相ナノチューブの合成に成功した。X線回折結果より、多くのカーボンナノチューブが、炭化ケイ素に変換していることがわかった。さらに、電子顕微鏡観察により、カーボンの周りに炭化ケイ素が形成しているカーボンと炭化ケイ素相混在ナノチューブだけではなく、単相の炭化ケイ素ナノチューブが形成していることを確認した。残存しているカーボン相を除去するため、600Cで、1時間大気中において熱処理を行った結果、単相の炭化ケイ素ナノチューブの割合が向上することがわかった。

Single phase silicon carbide (SiC) nanotubes were succeeded in synthesized by the reaction of carbon nanotubes (CNTs) with Si powder at 1200 C for 100 h. The X-ray diffraction patterns indicate that much CNTs reacted at 1200 C for 100 h was transformed to SiC. The results of TEM observation reveal that not only the coexisted nanotubes with SiC and graphite phase but also single phase SiC nanotubes were synthesized by reacting for 100 h. The proportion of single phase SiC nanotubes to the coexisted nanotubes increased by heat treatment at 600 C in air for 1 h since the remained carbon was removed.