Hayashi, Kazuhiko; Fukaya, Yuki; Kawasuso, Atsuo; Ichimiya, Ayahiko
反射高速陽電子回折(RHEPD)では全反射が観察される。全反射領域では、陽電子の物質への進入深さが浅いため、回折された陽電子は表面の情報のみを持つ。RHEPDを用いることで、最表面原子位置や表面デバイ温度を正確に決定することが可能となる。本研究では、RHEPDのこのような特徴を生かし、Si(001)清浄表面の構造を調べる。Si(001)表面は200K以下で、2
1構造からc(42)構造に相変化することが知られている。そこで、RHEPDパターン強度分布を相転移温度前後で比較した。室温において、全反射回折の起こる条件でパターンを観測した結果、(0,0), (-1/2,0), (-1,0), (-3/2,0), (-2,0)スポットを確認した。試料を150K以下に冷却すると、(0,0)スポットの強度は強くなり、(-1/2,0), (-1,0), (-3/2,0), (-2,0)スポットの強度は弱くなった。これは、表面構造が21からc(42)に変化したためであると考えられる。原子構造を決定するために、室温と150Kにおいて鏡面反射スポットの視射角依存性を測定した。現在、動力学的回折理論に基づいた計算を行い、原子位置の決定を行っている。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 244 |
号 |
: | 1-4 |
ページ数 |
: | p.145 - 148 |
発行年月 |
: | 2005/05 |
発表会議名 |
: | 12th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-12) |
開催年月 |
: | 2004/06 |
開催都市 |
: | Hamamatsu |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
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論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：21.66 分野：Chemistry, Physical |
Altmetrics |
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