Crystal nucleation behavior with annealing of SiC irradiated with Ne above 573K

573K以上でNeで照射されたSiCの焼鈍による結晶核生成挙動

相原 純 ; 北條 喜一; 古野 茂実*; 石原 正博 ; 山本 博之

Aihara, Jun; Hojo, Kiichi; Furuno, Shigemi*; Ishihara, Masahiro; Yamamoto, Hiroyuki

SiCのTEM試料が20keVNeで573, 583, 598, 683Kで1.5x10Ne+/mまで照射され、引き続き1273Kで30分焼鈍された。573Kと583K照射の場合には、照射による非晶質化と焼鈍による結晶核生成が起こった。結晶核生成領域とエピタキシャル成長領域ではバブルの粗大化がはっきり観察された。593K照射の場合には部分的に非晶質化が起こったが結晶核生成は起こらなかった。673K照射の場合には非晶質化は起こらず、焼鈍によっての変化は観察されなかった。

SiC TEM specimens were irradiated with 20keV Ne+ to the fluence of 1.5x10Ne+/m at 573, 583, 598 and 683K, and successively annealed at 1273K for 30minutes. In the cases of 573 and 583K irradiation, amorphization with irradiation and crystal nucleation with annealing occurred. Coalescence of the bubbles was clearly observed in the crystal nucleated area and epitaxial growth area. In the case of 593K irradiation, partial amorphization occurred but crystal nucleation did not occur. In the case of 673K irradiation, amorphization did not occur and no change was observed after annealing.