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Structural defects in SiO$$_2$$/SiC interface probed by a slow positron beam

低速陽電子ビームを用いたSiO$$_2$$/SiC界面欠陥構造の評価

前川 雅樹; 河裾 厚男; Chen, Z. Q.; 吉川 正人; 鈴木 良一*; 大平 俊行*

Maekawa, Masaki; Kawasuso, Atsuo; Chen, Z. Q.; Yoshikawa, Masahito; Suzuki, Ryoichi*; Odaira, Toshiyuki*

熱酸化過程においてSiO$$_2$$/SiC界面に残留する構造欠陥を評価するため、低速陽電子ビームを用いSiO$$_2$$/SiC構造における界面欠陥の検出とその評価を試みた。陽電子消滅寿命測定より、界面の構造はSiCよりも空隙が多くSiO$$_2$$に近い構造であると考えられる。ドップラー幅拡がり測定からは、界面領域においてWパラメータの増大が見られ、これは酸素価電子との消滅に由来することが示唆された。また酸化後にアルゴン雰囲気中でアニール処理を行うと、界面領域におけるWパラメータの減少が見られた。これは酸素価電子の影響が減少したことによると思われる。以上より、SiO$$_2$$/SiC界面には酸素ダングリングボンドを含む不完全酸化物が堆積しており、アニール処理を行うとこれが消失し界面構造の向上が図られるものと考えられる。

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分野:Chemistry, Physical

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