Magnetic resonant X-ray scattering at the Ga edge in UGa; A Band theoretical approach

UGaのGa-吸収端における磁気共鳴X線散乱; バンド計算に基づく理論計算

薄田 学; 五十嵐 潤一*; 小玉 祥生*

Usuda, Manabu; Igarashi, Junichi*; Kodama, Akio*

UGaのGa-吸収端における磁気共鳴X線散乱スペクトルを、局所密度近似によるバンド計算に基づいて理論解析した。その結果、Gaバンドの軌道分極が起源となって磁気共鳴散乱スペクトルが得られることがわかった。そのGaバンドの軌道分極は、隣接するUサイトのバンドの大きな軌道分極によって誘起されたものであり、したがって、Ga-吸収端における磁気共鳴散乱スペクトルは隣接Uサイトの軌道分極と密接に関係していると言える。

Magnetic resonant X-ray scattering (MRXS) at the edge of Ga in an antiferromagnetic phase of UGa is studied on the basis of a band-structure calculation. We find that a relatively large orbital polarization in the unoccupied states of the Ga band is induced by the orbital polarizations at neighboring U atoms through the Ga and U hybridization, and thereby leading to the large MRXS intensity.