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Synthesis of Al$$_{x}$$Ga$$_{1-x}$$N alloy by solid-phase reaction under high pressure

固相反応によるAl$$_{x}$$Ga$$_{1-x}$$N半導体合金の高温高圧合成

齋藤 寛之; 内海 渉; 金子 洋*; 青木 勝敏

Saito, Hiroyuki; Utsumi, Wataru; Kaneko, Hiroshi*; Aoki, Katsutoshi

バルクのAl$$_{x}$$Ga$$_{1-x}$$N半導体合金をすべての組成領域にわたり高温高圧下で固相反応によって合成した。その場X線回折実験により6GPa, 800$$^{circ}$$Cの条件で合金化が開始することを観察した。回収試料のSEM観察及び粉末X線回折実験から、Ga原子とAl原子の均一な分布と、組成に対する格子定数の連続的な変化を確認したが、これはAlNとGaNの固溶体が任意組成で形成されていることを示している。

Bulk specimens of Al$$_{x}$$Ga$$_{1-x}$$N alloys covering a composition range of 0$$leq$$${it x}$$$leq$$1 were synthesized by a solid-phase reaction under high pressure. ${it In situ}$ X-ray diffraction profiles were measured to observe the alloying process, which began at around 800$$^{circ}$$C under 6.0 GPa. SEM observation and X-ray analysis of the recovered specimen indicated a uniform distribution of Al and Ga and continuous variations of the lattice constants against the composition, which implies that a solid solution of AlN and GaN is formed regardless of atomic composition.

発表言語

 :

English

掲載資料名

 :

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2

巻

 :

43

号

 :

7B

ページ数

 :

p.L981 - L983

発行年月

 :

2004/07

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

AlGaN; Solid-phase Reaction; High Pressure and Temperature; Synchrotron Radiation; In Situ X-ray Diffraction; 固相反応; 高温高圧; 放射光; その場X線回折

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1143/JJAP.43.L981

研究データの公開先DOI

 :

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使用施設

 :

SPring-8(大型放射光施設)

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

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Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：23.62

分野：Physics, Applied

Altmetrics

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