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Scaling behavior in the Ce-based Kondo semiconductors; NQR/NMR measurements of CeRhSb and CeNiSn under high pressures

Ce-近藤半導体におけるスケーリング的振る舞い; CeRhSbとCeNiSnの高圧下NQR/NMR測定

生嶋 健司; 安岡 弘志; 上床 美也*; 石川 義和*

Ikushima, Kenji; Yasuoka, Hiroshi; Uwatoko, Yoshiya*; Ishikawa, Yoshikazu*

近藤半導体CeRhSbとCeNiSnのスケーリングの有効性を核スピン-格子緩和率T$$_{1}^{-1}$$の高圧研究を通して直接調べた。圧力に依存しないユニヴァーサムな曲線が、磁気励起のギャップ形成過程を含めた広い温度領域で観測された。これは、磁気励起におけるギャップが、近藤温度と密接に関係のある特性温度によって特徴づけられていることを示唆している。また、そのユニヴァーサムな性質は、熱力学量や輸送量から得られたグルーナイゼン定数によっても確認された。

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パーセンタイル:33.78

分野:Materials Science, Multidisciplinary

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