Low-energy proton irradiation effects on GaAs/Si solar cell

GaAs/Si太陽電池の低エネルギー陽子線照射効果

Chandrasekaran, N.*; 曽我哲夫*; 犬塚洋介*; 田口裕規*; 今泉充*; 大島武; 神保孝志*

Chandrasekaran, N.*; Soga, Tetsuo*; Inuzuka, Yosuke*; Taguchi, Hironori*; Imaizumi, Mitsuru*; Oshima, Takeshi; Jimbo, Takashi*

シリコン(Si)基板上のガリウム砒素(GaAs)太陽電池(GaAs/Si)の宇宙応用の可能性を調べるために、100keV陽子線を照射し、電気特性の変化を調べた。GaAs/Si太陽電池はMOCVD法を用い作製した。また、比較のためにGaAs基板上にGaAs太陽電池(GaAs/GaAs)も作製した。室温にて310 $^{10}$ から310 $^{12}$ /cm $^{2}$ の100keV陽子線を照射した。その結果、短絡電流の変化にはGaAs/Si及びGaAs/GaAsでの差異は見られなかったが、開放電圧に関しては110 $^{11}$ /cm $^{2}$ まではGaAs/SiはGaAs/GaAsに比べ優れた耐性を示すことが明らかとなった。また、110 $^{11}$ /cm $^{2}$ 以上ではGaAs/SiもGaAs/GaAsの開放電圧の劣化は同程度となることが判明した。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Japanese Journal of Applied Physics
巻	:	43
号	:	10A
ページ数	:	p.L1302 - L1304
発行年月	:	2004/10
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	GaAs/Si太陽電池; 陽子線照射; 電気特性

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.1143/JJAP.43.L1302
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	宇宙航空研究開発機構

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:	パーセンタイル：27.83 分野：Physics, Applied
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登録番号 : A20040334
抄録集掲載番号 : 330360
論文投稿番号 : 21700

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