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Theoretical simulation of extreme UV radiation source for lithography

リソグラフィ用EUV光源の理論シミュレーション

藤間 一美*; 西原 功修*; 河村 徹*; 古河 裕之*; 香川 貴司*; 小池 文博*; More, R.*; 村上 匡且*; 西川 亘*; 佐々木 明; 砂原 淳*; Zhakhovskii, V.*; 藤本 孝*; 田沼 肇*

Fujima, Kazumi*; Nishihara, Katsunobu*; Kawamura, Toru*; Furukawa, Hiroyuki*; Kagawa, Takashi*; Koike, Fumihiro*; More, R.*; Murakami, Masakatsu*; Nishikawa, Takeshi*; Sasaki, Akira; Sunahara, Atsushi*; Zhakhovskii, V.*; Fujimoto, Takashi*; Tanuma, Hajime*

次世代リソグラフィ用EUV光源の設計指針を与えるために行っている、理論,シミュレーション研究について報告する。原子過程シミュレーションと輻射流体シミュレーションを開発し、プラズマの温度,密度分布,放射X線スペクトル,13.5nm帯の放射への変換効率を評価する。ターゲットとして用いるXeやSnプラズマの複雑な原子過程の解析をより正確に行うため、複数の原子データコード(Hullac, Grasp等)とモデル計算(平均原子モデル),基礎的な分光実験を行い結果を相互に比較する。阪大レーザー研の激光XII号レーザーを用いて測定されたSnプラズマのEUV変換効率の解析を行う。

no abstracts in English

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