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応用物理1977年10月号に技術ノートとして掲載される予定の依頼原稿である。半導体検出器によるX線、
線の入射位置を計測する技術の解説である。電子.
粒子、重イオンなどの荷電粒子の入射位置の計測法としては、従来から多数の方法が考案され、Si検出器を使用している。Si検出器は全吸収ピーク検出効率が低いので、X線、線に対しては余り有効なものではない。したがって、Ge検出器を用いた位置計測ということになるが、Ge(Li)検出器は液体窒素を切らせることができなりこと、製作上困難な点があることから余り発展しなかった。高純度Ge検出器が位置検出に盛んに利用されるようになり、直交ストリップ型が主に用いられる。最近、MIS構造の新しい形式の位置検出器が発表され期待されている。これらの現状を解説した。
no abstracts in English
使用言語 |
: | Japanese |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 46 |
号 |
: | 10 |
ページ数 |
: | P. 1015 |
発行年月 |
: | 1977/10 |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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Altmetrics |
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