Nature of defect clusters in electron irradiated germanium and silicon

電子線照射によって形成されたGeとSi中の欠陥集合体の性質

not registered; Izui, Kazuhiko; not registered; not registered

常温から500 $^{circ}$ Cにわたって電子線照射されたSiとGe中に形成された欠陥集合体について調べた。比較的低温で形成される欠陥は両物質とも板状であり、250 $^{circ}$ C以上の高温照射では110方向に延びた線状の欠陥であることが認められた。線状の欠陥については電子顕微鏡による像解析の結果interstitial型であることが認められた。板状欠陥については欠陥の性質から像解析の方法が困難であったので、その他の実験からvacancy型であると認めた。さらにこれらの欠陥の形成機構について議論した。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Proc.5th Int. Conf.on High Voltage Electron Microscopy
巻	:
号	:
ページ数	:	p.567 - 570
発行年月	:	1977/08
発表会議名	:
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キーワード	:	電子線照射; 電子顕微鏡; 欠陥集合体; Ge; Si

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登録番号 : A19777264
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 4987

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