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半導体シリコンの中性子照射によるドープ技術

Phospborus doping by newtron irradiation of semiconductor silicon.

山本 章

not registered

半導体シリコンを原子炉で照射することによって、リンをドープする技術が開発され、NTDシリコンの生産が開始された。このドープ技術は、1961年にM.Tanenbaun等が最初の詳細な実験結果を発表しがた、約10年間は生産に適用されることなく忘れられた。しかし、半導体シリコンおよびその素子の生産技術が発達し、素子の性能および経済性に関する強い要求が高まり、1973年以来このドープ法が再評価され、生産を指向した実験がなされた。中性子照射によるドープ法は、シリコン中に同位体として存在する$$^{3}$$$$^{0}$$Siが(n,$$gamma$$)反応によって$$^{3}$$$$^{1}$$Siに変換され、これが$$beta$$崩壊して安定な$$^{3}$$$$^{1}$$Pに変換することを利用して、シリコン中にリンの必要量を均一にドープする方法である。本稿は、日本アイソトープ協会のRADIOISOTOPESの文献紹介欄に、文献紹介をかねて、このドープ技術の概要を執筆したものである。

no abstracts in English

発表言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

Radioisotopes

巻

 :

26

号

 :

11

ページ数

 :

P. 1772

発行年月

 :

1977/11

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

Neutron; Trausmutation; Doping; Sewiconductor; Silicon; Neutron Irradiation; NTD

特許データ

 :

PDF

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