High resolution electron microscopy of images of atoms in silicon crystal oriented in (110)

(110)方位のシリコン結晶中の原子像の電顕観察

出井 数彦; 古野 茂実; 西田 雄彦; 大津 仁; 桑原 茂也*

Izui, Kazuhiko; not registered; not registered; not registered; not registered

(110)結晶面上に投影されたシリコンの原子像が高分解能電子顕微鏡によって観察された。原子の像はピントのずれや結晶の厚さによっていろいろな変化を示すが、最も理想に近い像を得るための条件を電子回折多波n-slice理論に基いた理論計算によって探し、実験上の制限と高分解能原子像撮影の可能性について議論した。その結果理想像を得るに適した最適な試料の厚さ(約100と最適なピントのずれの値が存在することを見出し、実験的にこれらの条件に適合させることは、かなり困難であるが、不可能でないことを結論し、吾々の観察結果に対して理論的根拠を与えた。

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