Nature of secondary defects in silicon produced by high temperature electron irradiation

高温電子線照射によってシリコン中に形成された二次欠陥に性質

not registered; Izui, Kazuhiko; not registered

超高圧電子顕微鏡内でIMV電子線を使って、シリコンの電子線照射損傷の実験を行い、照射温度の違いによって二種類の欠陥集合体が形成されることが観察された。即ち、比較的低い試料温度(180 $^{circ}$ C~250 $^{circ}$ C)での照射の場合は{113}面上にのった板状の欠陥集合体が形成され、高い温度(300 $^{circ}$ C~600 $^{circ}$ C)では{113}面上にのっているが110方向に伸びた針状の欠陥集合体もしくは細長い転位ループが形成されることが観察された。次にこれら二種類の欠陥集合体のtypeの決定を行った結果、高温で形成された欠陥集合体については転位ループに対する従来のinside像またはoutside像観察法によってinterstitial型であることが判明した。低温で形成された欠陥が高温で再照射することによって、縮小または消滅することからvacancy型であると判明した。以上の結果を報告する。

no abstracts in English

使用言語	:	English
掲載資料名	:	Japanese Journal of Applied Physics
巻	:	18
号	:	1
ページ数	:	p.203 - 204
発行年月	:	1979/00
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	電子線照射; シリコン; 格子欠陥; 電子顕微鏡; 照射損傷

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1143/JJAP.18.203
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登録番号 : A19788081
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 5273

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