半導体シリコンの中性子ドーピング技術

Neutron transmutation doping techinics of semiconductor silicon

not registered; not registered

シリコンを中性子照射してリンをドーピングする技術は1977年には実用段階に入り、主に大電力用素子の生産に用いられている。そして今やこのNTDシリコンは、世界の主要研究炉で照射され、生産されており、その抵抗率分布が均一であるという優れた特性によって市場を拡大している。NTDの技術は、半導体産業が原子力技術を生産に応用した点で画期的であり、また中性子による核変換によって生成した安定核種に着目する点でユニークである。この報告は、NTDの原理開発の歴史、在来法との比較、そして原子炉による照射技術について概観したものである。

no abstracts in English

使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:	原子力工業
巻	:	25
号	:	1
ページ数	:	p.65 - 69
発行年月	:	1979/00
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	Semiconductor Silicon; Neutron Transmutation Doping; Neutron Irradiation; Research Reactor Utilization

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	http://ci.nii.ac.jp/naid/40001071500
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:
Altmetrics	:

登録番号 : A19788200
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 5232

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.