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Electron spin resonance studies of radicals produced by $$gamma$$-irradiation of thiophene in the crystalline and adsorbed states

チオフェンの単結晶および吸着系の$$gamma$$線照射により生成するラジカルのESR

永井 士郎; T.Gillbro*

not registered; T.Gillbro*

チオフェンの単結晶およびそのシリカゲル吸着試料を$$gamma$$線照射して、生成するラジカルの構造と反応をESRにより検討した。ESRスペクトルの解析により、生成するラジカル種および昇温によるラジカルの転換過程は、それぞれ、結晶および吸着系で同じであることが明らかになった。77Kにおける照射により主として、チオフェンにH原子が付加した構造をもつ2-hydrothienylラジカルおよびH原子の脱離した3-thienylラジカルが生成する。試料を昇温すると、チオフェン2量体のアリル型ラジカルの生成が観測され、このラジカルは3-thienylラジカルがチオフェンに付加した構造をもつ考えられる。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

J.Phys.Chem.

巻

 :

83

号

 :

3

ページ数

 :

p.402 - 405

発行年月

 :

1979/00

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

チオフェン; $$gamma$$線照射; ESR; ラジカル; シリカゲル

特許データ

 :

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論文URL

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広報プレスリリース

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