Observation of anisotropic damage production in electron-irradiated molybdenum

電子線照射されたMo結晶中の損傷形成異方性の観察

古野 茂実

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電子線照射されたMo結晶中の点欠陥生成の異方性が超高圧電顕を使って実験された。この実験で欠陥集合体の形成は電子線の正確な結晶軸方向の入射に対して最も強められ、その軸方向からずれるに従って減少することが認められた。またこの実験で点欠陥生成の尺度として用いられた欠陥集合体の飽和密度は電子線の強度に比例することが認められた。欠陥集合体の形成の電子線強度依存性と電子線入射方位依存性の比較から、点欠陥生成の異方性は結晶原子のはじき出しに有効である原子点もしくは原子列上での入射電子の局在化による電子線密度が電子入射方位によって変化する結果生ずるものと結論された。

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