Removal mechanism of tritium by variously pretreated silica gel

シリカゲルによるトリチウムの捕集機構

Nakashima, Mikio; Tachikawa, Enzo; Saeki, Masakatsu; not registered

100 $^{circ}$ Cから600 $^{circ}$ Cまでの各温度で前処理したシリカゲルと未処理シリカゲルのカラムを用い、HTOをpulse-loadingした時のトリチウムの捕集機構を調べた。未処理および300 $^{circ}$ C以下で処理したシリカゲルでは、HTO捕集後の加熱により、大部分のトリチウムが化学吸着水として放出される。これはH/T同位体交換反応が重要な役割を果している事を示す。400 $^{circ}$ C以上の前処理シリカゲルに於いては、同位体交換反応とともに、OH基脱離表面(siloxyl group)のrehydrationが重要である。600 $^{circ}$ C以下で脱離した表面のOH基は、再び水を吸着することによって、最終的には完全にrehydrationされる。

no abstracts in English

使用言語	:	English
掲載資料名	:	Journal of Inorganic and Nuclear Chemistry
巻	:	43
号	:	2
ページ数	:	p.369 - 373
発行年月	:	1981/00
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	シリカゲル; HTO; H/T同位体交換反応; 表面OH; rehydration; 化学吸着水; pluse-loading

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.1016/0022-1902(81)90025-7
研究データの公開先DOI	:
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広報プレスリリース	:
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Access	:	- Accesses
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InCites™	:	パーセンタイル：37.91 分野：Chemistry, Inorganic & Nuclear
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登録番号 : A19799184
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 6093

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