シリコン結晶の高分解能構造像,観察の方法とその電子光学的条件について、我々の今迄の研究結果を述べる。結像のための重要な因子として、結晶方位,厚さ,ピントの外れ量,球面収差,色収差,電子の入射発散角の効果を詳しく検討しその許容範囲を明かにした。又、更にこの方法を、照射損傷の研究に適用して、大きさ10
以下の微小空孔集合体や格子間原子集合体の固定の可能性を計算に基いて議論した。これらの研究は、従来不可能であった、微小欠陥の構造解析への道を開くもので、計算と共に、実験観察の結果についても報告する。
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発表言語 |
: | Japanese |
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掲載資料名 |
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巻 |
: | 14 |
号 |
: | 2 |
ページ数 |
: | p.94 - 101 |
発行年月 |
: | 1980/00 |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説 |
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Access |
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- Accesses |
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Altmetrics |
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