Sputtering of silicon carbide coatings by low-energy hydrogen ions

低エネルギー水素イオンによる炭化珪素のスパッタリング

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反応性イオンプレーティング法によりモリブデン上にコーティングした種々の組成の炭化珪素皮膜ついて、1keV相当H $^{+}$ による500 $^{circ}$ C前後におけるスパッタリング収率を測定した。主な結果は次の通り。(1)スパッタリング収率は化学理論比の組成において最も小さく、500 $^{circ}$ Cにおける値は1.1510 $^{-}$ $^{2}$ atoms/ionである。(2)400~600 $^{circ}$ Cで殆んど温度依存性がない。(3)化学量論比よりずれると侵食速度は大きくなり、特にSi過剰のものは照射により剥離する。AES及びEPMAを用いて、照射による表面組成の変化についても調べた。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Journal of Nuclear Materials
巻	:	98
号	:	3
ページ数	:	p.270 - 278
発行年月	:	1981/00
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	Sputtering; Silicon Carbide; Coatings; Hydrogen; Ions

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1016/0022-3115(81)90153-7
研究データの公開先DOI	:
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広報プレスリリース	:
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Access	:	- Accesses
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InCites™	:	パーセンタイル：80 分野：Materials Science, Multidisciplinary
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登録番号 : A19800293
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 6099

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