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Surface compositional and chemical-state changes of SiC,Si$$_{3}$$N$$_{4}$$ and SiO$$_{2}$$ by energetic hydrogens

炭化ケイ素,窒化ケイ素,二酸化ケイ素の水素衝撃に伴う化学組成及び化学状態の変化

佐々木 貞吉; 馬場 祐治  

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耐熱材料に及ぼすkeVオーダ水素イオンの化学的効果を明らかにするため、SiC,Si$$_{3}$$N$$_{4}$$,SiO$$_{2}$$を6keVH$$_{2}$$$$^{+}$$で照射し、表面化学変化,注入水素の捕捉状態等について検討した。その結果、SiCでは照射量とともにC/Si比が増加しC-H結合形成を示唆するXPSスペクトルを与えることが分かった。一方、Si$$_{3}$$N$$_{4}$$及びSiO$$_{2}$$ではN/Si比,O/Si比が減少しSi-H結合の形成を認めた。表面組成の変化量は2$$times$$10$$^{1}$$$$^{8}$$ions/cm$$^{2}$$で20~30%であった。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Journal of Nuclear Materials

巻

 :

138

号

 :

ページ数

 :

p.145 - 148

発行年月

 :

1986/00

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

X-ray Photoelectron Spectroscopy; Auger Electron Spectroscopy; Si; SiC; Si$$_{3}$$N$$_{4}$$; SiO$$_{2}$$; Hydrogen Ions

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1016/0022-3115(86)90269-2

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：85.2

分野：Materials Science, Multidisciplinary

Altmetrics

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