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Comment to the images of silicon in $$<$$110$$>$$ orientation

$$<$$110$$>$$方位のシリコン像についての論評

出井 数彦; 古野 茂実

Izui, Kazuhiko; not registered

吾々が世界で初めてシリコンの$$<$$110$$>$$方向の原子像を高分解能電顕で撮影することに成功して以来10年を経たが、この間、この像について、示された原子位置の正確性を議論し、批判する論文が数人の研究者により提出された。今回これらの批判に応えて、原子位置表示の精度は、観察される試料の厚さにより大きく変わること、精度のよい像は非常に厳しい条件(厚さ70~80$AA)$の範囲でのみ観察可能で、この条件が万足されなければ他の電子光学的条件を如何に最適に調節しても不可能であることを今迄の結像計算の例を挙げて説明し、併せて精度のよい観測例を、明確な写真で示した。

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