検索対象:     
報告書番号:
※ 半角英数字
 年 ~ 
 年

Radiation damage in GaAs and ultrathin Si solar cells due to low energy electrons

低エネルギー電子線によるGaAs太陽電池および超薄型Si太陽電池の損傷

松田 純夫*; 辻 政信*; 三井 光; 田中 隆一; 須永 博美

Matsuda, Sumio*; Tsuji, M.*; Matsuda, S.; Tanaka, Ryuichi; Sunaga, Hiromi

人工衛星の寿命の長期化と軽量化の要請に応え、かつ耐放射線性を考慮して試作した厚み280$$mu$$mのGaAs太陽電池と厚み50$$mu$$mの超薄型Si太陽電池に電子線を照射した結果について報告する。 加速管内電子エネルギー1.0MeV(太陽電池表面入射電子エネルギー0.92MeV)の場合を基準として、開放電圧、短絡電流、および最大出力について、0.5~3.0MeVのエネルギー範囲の電子線による損傷の換算係数を求めた。これらの電気特性の換算係数の電子エネルギー依存性はほぼ一致した。また、電子線とガンマ線の損傷等価性を調べた。その結果、電子エネルギー0.75~3.0MeVの範囲において、等価の損傷を与える電子フルエンスとガンマ線量はほぼ比例関係にあることがわかった。 以上の結果に基づいて、太陽電池の電子線損傷機構について考察する。

no abstracts in English

Access

:

- Accesses

InCites™

:

Altmetrics

:

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.