Defect structure and ionic conductivity in stabilized zirconia

安定化ジルコニア系の欠陥構造及びイオン電導度

安定化ジルコニアのイオン伝導度は、YSZ(イットリア安定化ジルコニア)では3.125%、CSZ(カルシア安定化ジルコニア)では6.25%近傍の酸素空孔濃度で、むしろ鋭い極大をとるという特異な性質を示す。この組成は、両系共に、置換陽イオン種(Y $^{3}$ $^{+}$ ,Ca $^{2}$ $^{+}$ )の陽イオン副格子点上での12.5%の濃度に相当する。酸素空孔と陽イオン置換種間の第一近接及び第二近接位置での静電的相互作用を適切に考慮に入れる事により、上記の様なYSZおよびCSZ系のイオン伝導度の挙動を定量的に説明する理論モデルを提出した。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Proceedings of the Zirconia '86 Tokyo II
巻	:
号	:
ページ数	:	p.171 - 192
発行年月	:	1989/00
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キーワード	:	Stabilized Zirconia; Defect Structure; Ionic Conductivity; Oxigen Vacarcy; Transport Mechanism

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登録番号 : B19866440
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 9205

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