半導体の照射効果に及ぼす温度の影響

Effect of irradiation temperature on the change of characteristics of bipolar transistor.

not registered; Hayakawa, Naohiro; Kawakami, Waichiro

バイポーラトランジスタ 4種類を1.010 $^{6}$ R/hにて0.1~0.3MR,照射温度室温~150 $^{circ}$ Cの各温度にて照射し、この時の直流電流増幅率h $_{F}$ $_{E}$ 及び逆方向飽和電流I $_{C}$ $_{B}$ $_{O}$ について測定を行った。h $_{F}$ $_{E}$ は室温照射を行った時よりも加熱照射を行った時のほうが低下した。温度によっても異なるが、60~80 $^{circ}$ Cの照射温度が最も低下し、それ以上の温度ではまた回復した。一方、I $_{C}$ $_{B}$ $_{O}$ は照射温度が高いほど特性が小さくなり、特に80 $^{circ}$ C以上では顕著に減少した。照射線量による挙動の違いはみられなかった。 h $_{F}$ $_{E}$ の加熱照射による低下の原因は、主にI $_{B}$ の増加によることがわかった。この原因としてSi/SiO $_{2}$ 界面の界面準位が考えられる。バイポーラトランジスタの耐放射線性の評価を行う場合、放射線に加えてその環境温度の影響を考慮する必要のあることがわかった。

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使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:	EIM-86-137
巻	:
号	:
ページ数	:	p.77 - 85
発行年月	:	1986/00
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開催国	:
キーワード	:	バイポーラトランジスタ; 照射温度; 直流電流増幅率; 逆方向飽和電流; 加熱照射; 界面準位

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登録番号 : B19866659
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 8060

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