NTD-Siウェハーのキャリアライフタイムと移動度の熱処理特性

On the relationship between carrier-life time,mobility and thermal annealing condition of NTD-silicon.

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シリコン単結晶にNTD法によりリン原子を注入する場合の問題点は、中性子照射に伴いシリコン単結晶中に欠陥が生成し、半導体素子としての電気的特性に影響を生ずることである。本報告では、シリコン単結晶(インゴット又はウエハー)をJRR-2のVT-5及びVT-9孔で照射(0.18~5.510 $^{1}$ $^{8}$ n/cm $^{2}$ )し、照射後140~1,150 $^{circ}$ Cと変化させた熱処理を行うことにより、上述の欠陥の回復効果を次の電気的特性を測定することにより検討した結果を述べる。 1.導電率、2.キャリア移動度、3.キャリアライフタイム、結果は、上記1及び2に影響を与える大型のdefectクラスターは、650 $^{circ}$ C,60分の熱処理により除去できるが、上記3に影響を与える小型のクラスターは、熱処理温度1,000 $^{circ}$ C位まで残存することが判った。

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発表言語	:	Japanese
掲載資料名	:	KURRI-TR-289
巻	:
号	:
ページ数	:	p.41 - 45
発行年月	:	1987/00
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キーワード	:	半導体; シリコン; NTD; 研究炉利用

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登録番号 : B19866708
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 8125

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