O
implanted with Cr and ZrC.J.McHargue*; 楢本 洋; B.R.Appleton*; C.W.White*; J.M.Williams*
C.J.McHargue*; not registered; B.R.Appleton*; C.W.White*; J.M.Williams*
イオン打込による非平衡新材料物質作成の基礎的研究の一環として、熱処理による打込イオンの深さ分布変化及びその結晶学的位置、イオン打込時に誘起された格子欠陥の回復等の現象を調べた。表面近傍に局在化したこれらの現象を観察するため、高速He
イオンのラザフォード後方散乱及びチャネリング現象を利用したイオンビーム解析を行なった。更に、これらの熱回復過程に対応する物理量として、Hardnessの変化を測定・比較した。得られた結果は以下の通りである。(1)母体結晶の構成元素であるAlとOxy原子とでは、格子欠陥の回復温度が異なる。(2)打込イオンのうちCr原子は熱処理により母体結晶構造に取り込まれるが、Zr原子では一切その傾向はみられない。(3)Hardnessに対する寄与は、Zr原子を打込んだ場合の方が大きい。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | p.147 - 153 |
発行年月 |
: | 1982/00 |
キーワード |
: | Implantation; Chromium; Zirconium; Aluminium Oxide; Ion Scattering; Thermal Annealing; Hardness |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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