化学スパッタリング

Chemical sputtering

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最近、核融合装置の第一壁は、JT-60の例からもわかるように、低Z材料(炭素材料、SiC、TiCなど)を使用することが普通になってきている。しかし低Z材料では、水素と化学反応して損耗していく化学スパッタリングが無視できない場合が多い。ここではこれらの材料における化学スパッタリング研究の最近の動きについて、著者らの経験をまじえながら解説した。タングステンをダイバータ板として使用する場合の酸素との反応についても若干ふれた。

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使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:	応用物理
巻	:	53
号	:	3
ページ数	:	p.217 - 221
発行年月	:	1984/00
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	低Z第一壁; 炭素材料; SiC; TiC; タングステン; 水素イオンビーム; 原子状水素; メタン生成収率; 酸化物生成

特許データ	:
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論文URL	:	http://joi.jlc.jst.go.jp/JST.Journalarchive/oubutsu1932/34.217
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:
広報プレスリリース	:
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Access	:	- Accesses
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登録番号 : A19833322
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 7002

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