The Effect of chemical sputtering on hydrogen recycling at TiC wall surface

TiC壁表面での水素リサイクリングに対する化学スパッタリングの効果

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本論文では従来考慮されていなかったTiC壁の水素による化学スパッタリングが水素リサイクリング率にどのような効果をもたらすかを考察したものである。JT-60のパラメータを用いて中性子粒子入射加熱時の水素リサイクリング率を、TiC壁が化学スパッタリングによりC原子欠乏し、さらに残留気体で酸化物生成が起こるとして、それぞれの場合について計算した。TiCのままであれば、壁温300-370 $^{circ}$ Cの hot wall discharge が5sec放電の場合有効であるが、TiO $_{2}$ では壁による水素の捕捉量がTiCの場合より大きくなり、毎放電後壁を加熱して捕捉した水素を追い出すことが必要となろう。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Journal of Nuclear Materials
巻	:	128-129
号	:
ページ数	:	p.589 - 592
発行年月	:	1984/00
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	Hydrogen recycling; Chemical sputtcsing; TiC; Ti; TiO $_{2}$ ; JT-60

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1016/0022-3115(84)90416-1
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Access	:	- Accesses
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InCites™	:	パーセンタイル：0.02 分野：Materials Science, Multidisciplinary
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登録番号 : A19844080
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 7190

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