イオンによるTiのトランスミッションスパッタリングnot registered; not registered; not registered; Aruga, T.
高エネルギー重イオンによる損傷の深さ分布とエネルギーデポジットの分布を明らかにする目的で、トランスミッションスパッタの膜厚依存性を求めるとともに、スパッタ率の定量的解析の可能性をオージェ電子分光法(AES)により検討を行った。タンデム加速器からの114MeV Fイオンを種々の膜厚のTiに照射しトランスミッションスパッタリングされたTi粒子をAg箔上に捕集した。スパッタ放出率は飛程の末端近傍で最大になることが明らかになった。この結果はEDEP-1コードにより計算されたエネルギーデポジットの分布とよい一致を示した。又、スパッタ率の最大値が1.2~3.6/ionとなることをAESスペクトル解析から明らかにすることができた。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
: | 132 |
号 |
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ページ数 |
: | p.95 - 97 |
発行年月 |
: | 1985/00 |
キーワード |
: | Titanium; Sputtering; Radiation Damage; Auger Electron Spectroscopy; X-ray Photoelectron Spectroscopy |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：0.4 分野：Materials Science, Multidisciplinary |
Altmetrics |
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