Structural changes induced by hellium ion irradiation in silicon carbide crystals

ヘリウムイオン照射されたSiC結晶の構造変化

SiCの多結晶にイオンを照射し、生成する照射欠陥を高分解能透過型電子顕微鏡で観察を行った。試料の薄膜化は機械研磨及びイオンビームシンニング装置で行った。この試料を加速電圧30KVでHeイオンを約110 $^{1}$ $^{4}$ から110 $^{1}$ $^{7}$ ions/cm $^{2}$ で照射した。その結果、C軸方位から観察した場合、6角形の欠陥クラスターが観察された。さらに、同一実験条件において、010方向においてはC軸に直角に直線が発生するのが観察された。さらに、イオン照射量の増加とともに、非晶質の部分が形成されることが電顕像と電子線回折像から示された。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Journal of Nuclear Materials
巻	:	133-134
号	:
ページ数	:	p.709 - 713
発行年月	:	1985/00
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	Irradiation; Hellium Ion; High Resolution; SiC; Omorphous

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1016/0022-3115(85)90241-7
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Access	:	- Accesses
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InCites™	:	パーセンタイル：88.01 分野：Materials Science, Multidisciplinary
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登録番号 : B19844197
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 7462

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