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原研研究炉におけるシリコンドーピング技術の開発

Development of silicon doping technology in the research reactor of JAERI

梅井 弘

not registered

半導体材料に用いられている半導体シリコンを、原子炉で照射することによって、リンをドープする技術が開発され、NTDシリコンの生産が行われている。中性子照射によるドープ法は、シリコン中に同位体として存在する$$^{3}$$$$^{0}$$Siが(n,$$gamma$$)反応によって$$^{3}$$$$^{1}$$Siに変換され、これが$$beta$$崩壊して安定同体$$^{3}$$$$^{1}$$Pに変換することを利用して、リンの必要量を均一にドープして、n型の半導体にする方法で、これが半導体の品質向上につながることは、非常に興味あるユニークな利用方法である。原研では、シリコンメーカの依頼を受けて、研究炉におけるNTDシリコンの製造を目的とした照射実験を行い、製造技術の実用化の成果を得た。現在は半導体生産が原子炉照射を製造工程の一部となっており、JRR-2及び4で年間約1500kgの照射を行っている。上記研究会において、シリコンドーピング技術の開発による実用化とNTD製造の現状について講演を行う。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

KURRI-TR-263

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

p.31 - 37

発行年月

 :

1985/00

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

シリコンドーピング技術

特許データ

 :

PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

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広報プレスリリース

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