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Chemical sputtering yields of graphite; Sintereddiamond compacts and diamond films

黒鉛、焼結ダイヤモンド及びダイヤモンド薄膜の化学スパッタリング

山田 禮司

Yamada, Reiji

黒鉛、焼結ダイヤモンド、ダイヤモンド薄膜の化学スパッタリング収率を、入射H$$^{+}$$イオンのエネルギー、電流密度、試料温度をパラメータに測定した結果を報告する。 以前に化学スパッタリングによりCH$$_{4}$$が生成することを報告したが、今回それ以外にC$$_{2}$$H$$_{2}$$,C$$_{2}$$H$$_{4}$$,C$$_{2}$$H$$_{6}$$更にはC$$_{3}$$化合物が生成していることを見い出した。C$$_{2}$$H$$_{2}$$,C$$_{2}$$H$$_{4}$$,C$$_{2}$$H$$_{6}$$の入射エネルギー依存性では、~0.3keV付近でピークを持つ。これは、CH$$_{4}$$が~0.8keV付近で最大となるのに対して、大きくずれている。温度依存性に関しては、CH$$_{4}$$,C$$_{2}$$H$$_{2}$$,C$$_{2}$$H$$_{4}$$,C$$_{2}$$H$$_{6}$$とも~450~500$$^{circ}$$C付近で最大となり大きな差は無い。更に、電流密度依存性に関しては、1$$times$$10$$^{1}$$$$^{5}$$個/cm$$^{2}$$sec以下ではCH$$_{4}$$の収率は電流密度とともに幾分減少するが、1$$times$$10$$^{1}$$$$^{5}$$個/cm$$^{2}$$sec以上では一定となる。また収率が最大となる温度に関しても、上記の電流密以上では、電流密度に依存しない結果を得た。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Journal of Nuclear Materials

巻

 :

145-147

号

 :

ページ数

 :

p.359 - 363

発行年月

 :

1987/00

発表会議名

 :

7th Int. Conf. on Plasma-Surface Interactions in Controlled Fusion Device

開催年月

 :

1986/05

開催都市

 :

Princeton

開催国

 :

U. S. A.

キーワード

 :

Chemical; Sputtering; Graphite; Diamond; Films; Plasma; Wall; Interaction

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1016/0022-3115(87)90360-6

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：97.47

分野：Materials Science, Multidisciplinary

Altmetrics

 :

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