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An Approach to the Analysis of Xenon Escape from UO$$_{2}$$ During Postirradiation Heating

照射後加熱時にUO$$_{2}$$から逃散するXeの解析の一つの方法

岩本 多實; 菊池 輝男

Iwamoto, K.; not registered

照射UO$$_{2}$$粒子からの$$^{1}$$$$^{3}$$$$^{3}$$Xeの逃散挙動を等速昇温加熱法と等温加熱法とによって1700$$^{circ}$$C以下の温度で調べた。その結果をPrimakの解析によって解釈したところ、$$^{1}$$$$^{3}$$$$^{3}$$Xeのトラップからの放出の活性化エネルギーは広い範囲に分布していることがわかった。また、トラップから放出された$$^{1}$$$$^{3}$$$$^{3}$$Xeのマトリックス内の移動には、等温加熱の初期にのみ影響を及ぼす過程が含まれていることがわかった。さらに、活性化エネルギーが指数関数的に分布するという仮定をおいて、等温加熱時の$$^{1}$$$$^{3}$$$$^{3}$$Xeの逃散率を推定する簡単な方法を導びき、この方法により1ケのデータによってもかなり精度のよい推定ができることを示した。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

報告書番号

 :

JAERI-M 4500

ページ数

 :

18 Pages

発行年月

 :

1971/07

特許データ

 :

PDF

 :

JAERI-M-4500.pdf:0.56MB

論文URL

 :

https://doi.org/10.11484/jaeri-m-4500

キーワード

 :

FP放出; Xe; UO$$_{2}$$; 照射後加熱

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
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