Effect of Electron Channeling on Damage Production in a Germanium Crystal

ゲルマニウム結晶中の欠陥生成に対する電子チャンネリング効果

ゲルマニウム結晶の代表的な結晶軸に沿って、高速電子を入射させた場合の電流密度分布を電子回析の多波動力学理論によって詳細に求めた。ここで電子の入射方向に垂直な面での電流密度の局在化パターンそのものが入射方向にある周期をもって振動することが分った。この方向の平均電流密度値であるJ $^{rm DT}_{rm <HKL>}$ の原子列近くの分布から欠陥生成の有効電流比としてJ $_{rm eff}$ を定義し、その入射方向及び入射エネルギ-依存性について解析する。J $_{rm eff}$ は電子照射実験に対する補正係数と考えられる。

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使用言語	:	English
報告書番号	:	JAERI-M 6867
ページ数	:	15 Pages
発行年月	:	1977/01
特許データ	:
PDF	:	JAERI-M-6867.pdf:0.65MB
論文URL	:	https://doi.org/10.11484/jaeri-m-6867
キーワード	:	Electron; Damage; Radiation; Chameling; Production
使用施設	:
広報プレスリリース	:
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Access	:	- Accesses
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登録番号 : M006867
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